近日，公司收到中华人民共和国国家知识产权局颁发的 1 份《发明专利证书》，专利号ZL201010502011.1，专利名称《集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法》，专利申请日期2010年9月24日，期限20年，专利号第1099352号。